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首页 - 师资队伍 - 院士风采 - 44
院士风采
  • 姓名: 44
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科研成果

(以下文字为占位用)从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪 70 年代主持研究成功我国第一块 3 种类型 1024 位 MOS 动态随机存储器 , 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一。 80 年代提出了多晶硅薄膜 " 应力增强 " 氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,被国际同行认为 " 在微电子领域处理了一个对许多研究者都有重要意义的问题 " , " 对实践有重要的指导意义 " 。研究了多种硅化物薄膜及

研究方向

(以下文字为占位用)从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪 70 年代主持研究成功我国第一块 3 种类型 1024 位 MOS 动态随机存储器 , 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一。 80 年代提出了多晶硅薄膜 " 应力增强 " 氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,被国际同行认为 " 在微电子领域处理了一个对许多研究者都有重要意义的问题 " , " 对实践有重要的指导意义 " 。研究了多种硅化物薄膜及

学术背景

(以下文字为占位用)从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪 70 年代主持研究成功我国第一块 3 种类型 1024 位 MOS 动态随机存储器 , 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一。 80 年代提出了多晶硅薄膜 " 应力增强 " 氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,被国际同行认为 " 在微电子领域处理了一个对许多研究者都有重要意义的问题 " , " 对实践有重要的指导意义 " 。研究了多种硅化物薄膜及

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