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科研动态

2025-12-30 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖中心20篇论文入选第71届IEDM 2025年12月6日至10日，第71届国际电子器件大会（IEDM 2025）在美国旧金山举行。在本届IEDM上，北京大学集成电路学院共有20篇高水平学术论文入选，研究成果覆盖了先进逻辑和存储技术及其关键问题、新型信息器件及其应用、低维集成电路材料及器件、功率器件等多个领域。按照论文第一作者单位统计，北京大学以21篇论文成为本届IEDM大会国际上录用论文最多的单位（欧洲微电子研究中心IMEC位列第二位）。北京大学已连续5年成为全球IEDM录用论文最多的高校，连续19年在IEDM大会上发表论文。相关内容简介如下：一、先进逻辑和存储技术及其关键问题 1、高性能高密度垂直围栅GAA器件晶体管水平微缩已逼近物理极限，垂直围栅器件（VFET）凭借低寄生电容、高集成密度等优势，成为亚1nm节点高能效计算（EEC）领域核心候选技术，但长期受限于互连布线、扩展性及电流驱动能力三大瓶颈。继VLSI 2025提出开创性的双面VFET（DSVFET）之后，北京大学集成电路学院吴恒研究员-黄如教授团队发布了一系列进展，破解VFET演进难题。团队首次提出了VFET的双侧全局信号布线方法，通过...
2025-12-25 北京大学集成电路学院研究团队成果入选科技日报“2025年国内十大科技新闻” 近日，由科技日报社主办、部分两院院士和媒体负责人共同评选的“2025年国内十大科技新闻”正式揭晓。其中，北京大学人工智能研究院/集成电路学院双聘助理教授孙仲与北京大学集成电路学院蔡一茂教授、王宗巍助理教授率团队合作研制的“高精度可扩展模拟矩阵计算芯片”成功入选，标志着在数字计算主导计算机领域半个多世纪后，我国科学家在新型计算架构上取得重大突破。 10月13日，《自然·电子学》杂志发表北京大学研究团队的重要进展，团队成功研制出基于阻变存储器的高精度、可扩展模拟矩阵计算芯片，首次实现了在精度上可与数字计算媲美的模拟计算系统。我们熟悉的通信基站信号处理、AI大模型训练参数优化等，本质都是在解复杂的矩阵方程。采用数字方法实现高精度矩阵求逆的计算开销极大，耗时长、能耗高。于是，曾被视为老旧技术的模拟计算重新进入研究视野，它直接利用物理定律实现并行运算，在算力瓶颈背景下，具有延时低、功耗低等先天优势。然而，如何让模拟计算兼具高精度与可扩展性，从而在现代计算任务中发挥其先天优势，一直是困扰全球科学界的世纪难题。在这项研究中，团队选择了一条融合创新的道路，通过新型信息...
2025-11-28 中国微米纳米技术学会微米纳米加工技术分会成立，共推微纳加工领域创新发展 2025 年11月23日,中国微米纳米技术学会微米纳米加工技术分会成立大会暨学术研讨会在湖南长沙国际会议中心成功召开。中国微米纳米技术学会下属分会聚焦非传统精密制造领域的专业学术和技术分支,依托北京大学与上海交通大学共建的微米纳米加工技术全国重点实验室,以整合全国产学研用资源为核心目标,搭建学科交叉融合与产业协同创新平台,覆盖微纳工艺研发、芯片制造、设备创制、标准制定全技术链条,助力行业破解技术瓶颈、加速成果转化。本次会议汇聚全国微纳加工领域高校专家、科研机构学者及企业界领军,共同见证这一行业盛事,并围绕技术创新、产业协同等核心议题展开深入交流。成立大会合影大会上午 8 时30分正式启幕。根据微纳学会章程及选举规定,会议选举产生了94名第一届理事会正式理事,北京大学集成电路学院多位教授参与分会理事会工作，其中张大成教授被推选为理事长,王玮教授为副理事长，卢奕鹏研究员为副秘书长。新当选的理事长及分会负责人代表先后发言,进一步聚焦了分会发展的共识。张大成理事长结合自身 41 年行业经验,强调微纳加工技术的战略重要性,提出“更懂更微,更悟更精”的发展理念,呼吁依...
2025-11-14 北京大学集成电路学院集成电路高精尖创新中心17篇论文在ICCAD 2025大会发表近日，以北京大学集成电路学院为第一完成单位的17篇论文在德国慕尼黑举行的第44届国际计算机辅助设计会议（ICCAD 2025）上发表。这17篇论文内容涉及新型EDA算法、人工智能调度、映射和加速器设计方法、人工智能隐私计算等多个学术前沿领域。同时李萌、林亦波、贾天宇等多位学院老师为会议TPC成员，梁云、李萌、贾天宇、马宇飞老师为会议分论坛主席。同时，李萌老师在会议组织特别论坛，聚焦大模型时代的机器学习隐私保护算法与芯片设计。本次会议中，林亦波老师指导的博士生马瑞阳、任毅参加ICCAD CADathlon编程竞赛获得第二名，赵春源的论文《GTA: GPU-Accelerated Track Assignment with Lightweight Lookup Table for Conflict Detection》获得后端最佳论文奖提名。李萌老师指导的本科生傅子酌在ICCAD ACM Student Research Competition （SRC）中获得本科生组第一名。部分参会师生合影博士生马瑞阳、任毅获得ICCAD CADathlon编程竞赛第...
2025-11-14 北京大学助理教授唐希源受邀在2025亚洲固态电路会议（A-SSCC） Rising Star Express做报告近日，2025年亚洲固态电路会议（Asian Solid-State Circuits Conference, A-SSCC）在韩国大田召开。该会议是亚洲地区固态电路领域最具影响力的国际学术会议之一，吸引了来自全球各地的知名专家学者、企业代表及青年研究人员，共同探讨集成电路设计领域的最新研究进展与未来趋势。唐希源助理教授受邀在“Rising Star Express”专题论坛上作学术报告，题为” Energy-Efficient Circuit Techniques for Emerging Sensor Nodes”。在报告中，唐希源系统介绍了课题组近年来在高性能信号链前端、电容传感读出芯片方面的最新研究成果，涵盖了新型放大器结构、时间域信号处理技术等多个方向。这些研究工作为未来低功耗、智能化的边缘系统提供了新的电路优化方案，也展示了团队在模拟与混合信号集成电路领域的持续创新能力。 A-SSCC每年举行Rising Star Express，邀请四位青年研究人员做相关前沿报告，旨在展示亚洲青年学者在固态电路领域的最新研究成果。个人简介：唐希源双...
2025-11-12 无锡北京大学EDA研究院“支持7nm及以上超大规模集成电路布线方法及EDA软件研究”荣获省科技重大专项立项！近日，江苏省科技厅印发2025年度省科技重大专项相关立项文件，无锡北京大学电子设计自动化研究院（以下简称“北大EDA研究院”或“研究院”）凭借“支持7nm及以上超大规模集成电路布线方法及EDA软件研究”项目获得立项支持。此次立项为高新区辖内单位首次获得省科技重大专项立项，不仅彰显了研究院在电子设计自动化领域的科研实力，更体现了江苏省对战略性新兴产业技术创新的高度重视。该项目旨在突破超大规模集成电路布线领域的关键技术瓶颈，研发具有自主知识产权的EDA软件工具链。项目实施后将显著提升我国集成电路设计自动化水平，助力解决高端芯片研发中的“卡脖子”技术难题，为推动无锡市乃至全国集成电路产业高质量发展提供重要技术支撑。江苏省科技重大专项是全省为培育新质生产力、建设具有全球影响力的产业科技创新中心，围绕世界科技前沿、国家重大战略以及我省经济社会发展重点领域而组织推进的重大科技计划。该专项旨在通过系统布局和重点攻关，突破一批产业关键核心技术，形成具有引领性的重大战略产品和成果，推动科技创新与产业创新紧密协同，赋能新兴产业创新发展与高质量发展。无锡北京大学电子设计自动化研究院是...
2025-08-11 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心研究团队论文荣获第30届国际低功耗电子与设计研讨会ISLPED“最佳论文奖” 8月6日至8日，第30届IEEE/ACM国际低功耗电子与设计研讨会(IEEE/ACM International Symposium on Low Power Electronics and Design)于冰岛雷克雅未克召开。在会议闭幕式上，北京大学集成电路学院贾天宇研究员团队的论文“GenSoC: A Multi-Agent-Assisted Soc Generation Methodology Leveraging Open-Source Hardware”荣获会议EDA track“最佳论文奖”。成果介绍：当前系统SoC芯片设计面临着复杂度剧增、研发周期漫长及人力成本高昂等关键挑战，集成电路学院研究团队在本工作中提出首个基于大型语言模型（LLM）的多智能体辅助SoC生成框架与方法。该框架通过端到端自动化流程，集成90余类开源硬件IP库，颠覆传统手动编码与GUI工具依赖，实现从IP选择到芯片验证的全栈智能生成，极大加速定制化SoC开发。GenSoC框架采用创新的多智能体协同范式，通过三大核心智能体无缝融合芯片设计全流程，突破了传统设计方法的效率瓶颈。在本工作，研...
2025-08-01 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在日本熊本市举行。北京大学集成电路学院两篇高水平论文入选，向国际功率器件与功率集成电路领域的同行展示了北京大学最新的研究成果。这两篇论文内容涉及GaN CMOS集成技术、SiC MOSFET可靠性物理研究。论文详情如下： 1 高性能GaN CMOS集成技术 GaN CMOS逻辑电路是提升GaN功率芯片高频特性的重要技术环节。然而，当前GaN p沟道场效应管 (p-FET) 的低电流密度问题限制了该技术的发展。针对这一问题，当前多数研究聚焦于器件沟道区域的优化，然而，p-FET低电流密度问题仍未得到有效解决。北京大学魏进团队研究发现源极电阻对电流密度具有重要的影响。首先，研究团队通过TCAD仿真发现源极电阻降低器件沟道处的有效栅压，从而降低器件电流密度和增大器件的沟道电阻。为优化器件源极电阻从而提升电学性能，该团队通过在器件接入区域插入一层Al0.7Ga0.3N，利用电离增强的方案有效...
2025-07-15 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心39篇论文入选Transducers 2025 2025年6月29日至7月3日，第23届固态传感器、执行器与微系统国际会议（TRANSDUCERS 2025）在美国奥兰多成功举办。TRANSDUCERS是固态MEMS传感器、执行器与微系统领域里最顶尖的国际会议之一，每两年举办一次。该会议吸引来自全球大学、研究机构、行业企业与政府机构的专家学者参与，共同探讨电子、机械、光学、磁、热和生物MEMS器件以及微系统方面的重大科学技术突破，在国际学术界和工业界均享有很高的学术地位和广泛影响。按照论文第一单位统计，北大集成电路学院问鼎TRANSDUCERS 2025全球论文榜首，共有39篇高水平学术论文入选，成为在本届会议上录用论文最多的单位。研究成果覆盖了面向生物传感、脑机接口、工业检测、消费电子等多个领域的惯性、压力、声学、压电MEMS、柔性微电极、可共型传感阵列、生物传感器等前沿器件和微系统，部分内容简介如下：一、可植入/可穿戴生物电极技术 1.一种基于可图案化可溶支撑层的变刚度植入式神经电极植入式神经电极已经成为先进脑机接口系统不可或缺的工具，通过被植入不同的脑区，可以高通量、高时空分辨率地感测大脑神经活动，...
2025-07-07 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心12篇论文入选VLSI 2025 2025年6月8日至12日，超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI Technology and Circuits，简称VLSI）在日本京都成功举办。按照论文第一单位统计，北京大学集成电路学院共有12篇高水平学术论文入选，成为在本届VLSI上国内录用论文最多的高校（technology部分全球高校第一）。研究成果覆盖了先进逻辑器件、新型感存算融合器件与GaN功率器件、以及电路设计与芯片研究等多个领域，相关内容简介如下：一．先进逻辑器件研究 1.倒装堆叠晶体管的高密度集成验证当前，晶体管微缩已接近物理极限，集成电路行业正积极探索3D堆叠晶体管和背面互连技术等新型架构。然而，这些先进技术面临着高深宽比工艺难点以及设计复杂性等挑战。倒装堆叠晶体管（FFET）通过自对准地背靠背堆叠正面（FS）NFET和背面（BS）PFET，并结合双面电源/信号互连，可实现高密度的晶体管和互连线集成。在此基础上，为获得完整晶圆级集成结果，经过一年多的打磨，北京大学吴恒研究员-黄如院士团队开发了一系列关键工艺模块，包括晶圆键合、衬底减薄、背面沟道形貌优化以及...
2025-07-03 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共3篇论文入选第52届国际计算机体系结构研讨会（ISCA） 6月21日至25日，第52届国际计算机体系结构研讨会（ISCA 2025）在日本东京召开。在本次大会上，来自全球学术界与产业界的专家分享了计算机体系结构及相关领域的最新研究成果，讨论了体系结构未来发展的挑战与方向。集成电路学院的相关师生现场参加了本次大会，进行了成果展示、汇报与深入交流。在本次大会上，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共3篇论文入选，入选论文具体介绍如下： 1.面向边缘侧LLM推理场景的DRAM近存计算架构设计为加速边缘侧大语言模型推理，现有架构设计采用基于中央处理器（GPU、NPU等）与DRAM近存计算相结合的异构架构，对计算密集和访存密集的算子同时进行加速。然而，虽然现有DRAM近存计算架构可提供更高带宽，但将计算逻辑嵌入DRAM芯片的架构设计限制了其可提供的算力，导致其难以充分加速边缘侧推理计算。为缓解这一问题，孙广宇团队基于混合键合（Hybrid Bonding）这一新兴工艺，研发了面向边缘侧的LLM推理加速架构H2-LLM。H2-LLM提出了一套通用的近存计算架构模板，并抽象出架构设计空间，以协调混合键合工艺所固有的算力与带宽之间的权...
2025-06-30 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共13篇论文入选第62届设计自动化会议（DAC） 6月22日至25日，第62届设计自动化会议（DAC 2025）在美国旧金山召开。在本次大会上，来自电子设计自动化（EDA）与集成电路设计领域的高校、公司及研究机构群英荟萃，分享了EDA技术的最新发展和广泛应用，讨论了本领域进一步发展的前景和方向。北京大学多位教师马宇飞、王宗巍等担任了DAC的程序委员会（TPC）成员。集成电路学院的十余位师生现场参加了本次大会，进行了汇报与交流。参会师生合影在本次大会上，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共有13篇论文入选，研究成果覆盖了芯片设计、体系架构、存算一体、设计自动化、软硬件协同等领域。相关介绍如下： 1.多目标双面时钟树综合算法随着半导体器件尺寸缩放逼近物理极限，利用硅基板背面空间已成为未来集成电路发展的新趋势。目前已有多个研究通过改造现有后端工具，探索利用纳米硅通孔（nTSV）实现双面时钟树综合的潜力，但这些工作缺乏对设计资源分配和多目标优化的系统性考量。本工作提出了基于多目标优化的双面时钟树综合，包含分层时钟树布线、缓冲器与纳米硅通孔协同插入以及偏差微调等关键技术。结合设计空间探索...
2025-06-30 国家重大科研仪器研制项目“半导体器件氧化层电缺陷演化原位分析系统”结题验收会召开 2025年6月21日，自然科学基金委信息科学部在北京召开国家重大科研仪器研制项目（部门推荐）“半导体器件氧化层电缺陷演化原位分析系统”结题验收会议。自然科学基金委党组成员、副主任陆建华，自然科学基金委信息科学部主任郝跃、计划与政策局副局长杨列勋，教育部科学技术与信息化司一级巡视员张国辉，北京大学副校长朴世龙出席会议。信息科学部常务副主任刘克主持开幕式，专家组组长、南京大学祝世宁教授主持验收会议，北京科技大学张跃教授、东北师范大学刘益春教授等作为验收专家参加会议。陆建华副主任在致辞中表示，国家重大科研仪器研制项目面向世界科学前沿和国家重大需求，鼓励和培育原创性重大科研仪器设备研制，为科学研究提供新颖工具，带动学科发展，提升我国科学研究的原始创新能力。仪器项目的最终成果应该是一台完整的新仪器，不能停留在部件或分立系统的阶段。希望专家组在验收过程中，对项目成果的“增量”“变量”和“份量”进行客观评价，从仪器设备核心指标的完成情况、经费使用及档案资料的规范性方面严格把关，高质量完成验收工作。最后，他勉励研究团队以项目结题为新的起点，致力仪器的转化应用。张国辉巡视员表示，科研仪...
2025-02-27 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共15篇论文入选ISSCC 2025大会近日，第七十二届国际固态电路大会（ISSCC 2025）在美国旧金山隆重举行，该大会被誉为“芯片设计国际奥林匹克”。在本届大会上，北京大学共有15篇高水平论文（按第一单位统计）入选，成为此次国际上录用论文最多的单位。北京大学集成电路学院部分师生赴美参加了此次盛会，报告了各自方向的最新研究成果，并与国际同行进行深入的学术交流。在此次盛会上，博士生叶思源、许欣航获得2024-2025年度SSCS国际固态电路协会博士成就奖（2024-2025 SSCS Predoctoral Achievement Award）。叶思源目前是博士五年级，研究方向是高速高精度ADC设计，已发表16篇高水平论文，包括3篇第一作者ISSCC论文和1篇第一作者JSSC论文；许欣航目前是博士三年级，研究方向是高精度模拟信号链和ADC设计，已发表15篇高水平论文，包括1篇第一作者ISSCC论文和多篇第一作者CICC、ESSCIRC等论文。叶思源的博士生导师为张兴教授、沈林晓研究员，许欣航的博士生导师为沈林晓研究员。沈林晓研究员受ISSCC 2025 Forum 4 “Highlight ...
2024-12-31 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖中心13篇论文入选第70届IEDM 第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）于2024年12月7日至11日在美国旧金山举行。在本届IEDM上，北京大学集成电路学院共有13篇高水平学术论文入选，研究成果覆盖了先进逻辑器件、新型存储器件、感存算融合器件及功率器件等多个领域。按照论文第一单位统计，北京大学以15篇论文成为本届IEDM大会国际上录用论文最多的高校。北京大学已连续4年成为全球IEDM录用论文最多的高校，连续18年在IEDM大会上发表论文。相关内容简介如下：一、先进逻辑器件研究 1、FinFET工艺的低温器件物理研究低温CMOS技术是实现高性能计算的潜在方案之一，然而在低温条件下MOS器件存在比室温下更严重的电学特性涨落，成为制约其技术发展的关键瓶颈。王润声教授-黄如院士团队与北航曾琅教授以及中科院半导体所刘岳阳研究员等合作，在先进工艺FinFET器件的低温动态涨落效应研究方面有了新的突破。首次发现了低温下的电流弛豫现象，揭示了低温器件物理的带尾态效应与动态涨落的联系，进一步结合第一性原理计算阐明了带尾态的微观来源，并基于上述科学发现，建立了可以涵盖多种动态涨落现象的统计预测模型，...
2024-11-14 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共3篇论文在MICRO 2024大会发表近日，以北京大学集成电路学院为第一完成单位的3 篇论文在美国奥斯汀举行的第57届微架构国际研讨会（57th International Symposium on Microarchitecture，MICRO‘57）发表，此次会议论文接受率为22.7%（113/497）。3 篇论文的成果涵盖高层次综合，CXL内存等多个方面。 01.Hestia: 面向高层次综合的跨层次调试器高层次综合（HLS）通过自动将高层次描述转换为寄存器传输级（RTL）设计，为硬件设计提供了软件级的设计机会。然而，HLS编译器往往被视为复杂的黑盒过程，缺乏对设计者的透明度，进而影响调试过程。程序员通常依赖于仿真HLS设计，以理解生成的硬件行为。RTL仿真作为主流的硬件调试方法，在应用于HLS设计时耗时长且细节过多。而软件级仿真虽快速，但无法模拟硬件特有的细节。调试难题的核心在于软件描述与RTL实现之间的语义差异。为应对这一挑战，梁云团队提出了名为Hestia的高效跨层调试器，使得HLS设计的多层级调试成为可能。Hestia提供了多层级解释器，帮助减少硬件细节负担并降低时间成本，从而在...
2024-11-13 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心16篇论文在ICCAD 2024大会发表近日，以北京大学集成电路学院为第一完成单位的16篇论文在美国新泽西举行的第43届国际计算机辅助设计会议（ICCAD 2024）上发表，北京大学集成电路学院也成为国际上在ICCAD 2024以第一单位录取论文最多的单位。这16篇论文内容涉及新型EDA算法、人工智能调度、映射和加速器设计方法、人工智能隐私计算等多个学术前沿领域。同时，梁云、林亦波、李萌等多位学院老师为会议TPC成员，李萌、林亦波老师为会议分论坛主席。林亦波老师指导的博士生麦景、郭资政参加ICCADCADathlon编程竞赛获得第一名，本科生杜宇凡和博士生郭资政参加ICCADCADContest获得赛题三“ML/GPU加速逻辑门尺寸优化”赛道第一名。此外，杜宇凡和郭资政的论文《Fusion of GlobalPlacement and Gate Sizing with Differentiable Optimization》获得最佳论文提名。部分参会师生合影博士生郭资政、麦景获得ICCADCADathlon编程竞赛第一名本科生杜宇凡、博士生郭资政获得ICCADCA...
2024-07-17 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共12篇论文入选第61届设计自动化会议（DAC） 6月23日至27日，第61届设计自动化会议（DAC 2024）在美国旧金山召开。在本次大会上，来自电子设计自动化（EDA）与集成电路领域的高校、公司及研究机构群英荟萃，分享了EDA技术的最新发展和广泛应用，讨论了本领域进一步发展的前景和方向。北京大学多位教师代表，李萌、马宇飞、王宗巍等也担任了DAC的程序委员会（TPC）成员。燕博南研究员获得了SIGDAOutstanding New Faculty Award。集成电路学院的二十余位师生现场参加了本次大会，进行了汇报与交流。燕博南研究员获得2024年SIGDAOutstandingNewFacultyAward 在本次大会上，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共有12篇论文入选，研究成果覆盖了芯片设计、综合技术、体系架构、存算一体、设计自动化、软硬件协同等领域。相关介绍如下： 1. 跨阶段芯片功耗分析随着集成电路的不断发展与芯片内集成晶体管数量的不断上升，芯片功耗问题已越来越成为制约芯片发展的重要因素。为了缓解功耗预算的紧张问题，设计阶段功耗优化已愈发重要。而为了促进更准确的功耗优化，...
2024-07-05 北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共6篇论文入选ISPSD 2024 近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在德国不来梅市举行。本届ISPSD共收到论文投稿338篇，录用141篇，其中口头报告录用42篇。北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共6篇高水平论文入选（包含3篇口头报告），向国际功率器件与功率集成电路领域的同行展示了北京大学最新的研究成果。这六篇论文内容涉及GaN功率器件热电子效应抑制技术、高性能GaN p-FET器件技术、GaN功率器件动态电阻测试平台、高栅极电压摆幅GaN功率器件、GaN功率器件短路能力提升技术、增强型GaN功率器件动态阈值漂移与误开通现象。论文详情如下： 1. GaN功率器件热电子效应抑制技术目前，GaN功率器件在高压、大功率领域实现了优异的性能。然而，这会导致器件在工作过程中经历高功率应力，产生大量的热电子，这些热电子会轰击器件的表面和缓冲层，产生新的陷阱能级，从而引起器件的导通电阻退化。针对上述问题，魏进/王茂俊团队提出了具有有源钝化层和背...
2024-07-02 北京大学-华为技术有限公司半导体技术联合实验室学术研讨会圆满召开 2024年6月30日，北京大学-华为技术有限公司半导体技术联合实验室（以下简称“联合实验室”）学术研讨会在京顺利召开。联合实验室一期技术委员会主任黄如院士，北京大学副校长朴世龙院士，北京大学科技开发部姚卫浩部长、郑如青副部长，集成电路学院院长蔡一茂教授，华为北京研究所姜向中所长，研发部长夏禹，产业生态首席专家王志敏及北大、华为相关部门负责老师、技术专家等100余人出席本次研讨会。会议由北京大学集成电路学院党委书记王源主持。北大、华为双方高度肯定了联合实验室一期取得的成果，并携手展开二期合作。未来联合实验室将继续在基础科学研究、技术探索等层面开展工作，在创新人才培养、研究成果转化、平台管理运行等方面提质增效，打造校企联合创新平台的标杆示范，为推动我国集成电路产业高质量发展作出贡献。

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