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ISEDA 2024国际会议圆满召开

5月10日-13日,由EDA开放创新合作机制(EDA²)和中国电子学会电子设计自动化专委会共同主办,西安电子科技大学、北京大学、东南大学以及清华大学协办,IEEE/CEDA、ACM/SIGDA、国家自然科学基金委员会信息科学部、中国电子学会、“后摩尔新器件基础研究”重大研究计划指导委员会等作为顾问指导的2024年International Symposium of EDA(ISEDA 2024)在西安陕西宾馆盛大举行。

中国科学院院士、东南大学校长、北京大学教授黄如,中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃,深圳市海思半导体有限公司CIO刁焱秋先生,中国科学院外籍院士、加拿大皇家科学院院士、麦克马斯特大学教授Jamal Deen,IEEE会士、ACM会士、瑞士洛桑联邦理工学院教授David Atienza Alonso,IEEE终身会士、德国斯图加特大学教授Hans-Joachim Wunderlich,IEEE会士、Ampere Computing公司杰出工程师Sreejit Chakravarty,IEEE会士、德国卡尔斯鲁厄理工学院教授Mehdi B. Tahoori,瑞典计算机学科国家研究生院主任、瑞典林雪平大学教授Zebo Peng,IEEE会士、日本九州工业大学教授、集成系统研究中心主任Xiaoqing Wen,IEEE会士、昆山杜克大学教授Xin Li,IEEE会士、香港中文大学教授Tsung-Yi Ho,帕德博恩大学教授Sybille Hellebrand,韩国科学技术院教授John Kim,Integrated Insights创始人、前麦肯锡公司亚洲半导体业务主管合伙人Christopher Thomas,IEEE会士、伊利诺伊大学教授Elyse Rosenbaum,全芯智造技术有限公司创始人兼CEO倪捷,杭州广立微电子股份有限公司副总裁Sa Zhao,北京华大九天科技股份有限公司市场合作总监余涵,地方政府领导等嘉宾以及超过1000位来自EDA领域学术界顶尖专家、海内外中坚研发人员和莘莘学子齐聚西安。

北京大学是本次国际会议的重要协办方,集成电路学院的老师和同学广泛参与到本次大会的组织筹办和会场活动之中,黄如院士是本次会议的General Chair,王润声教授是Conference Chair,梁云教授是Technical Program Chair,林亦波研究员是Panel Chair,刘晓彦教授等多位老师以及10名学生也参与了本次大会的讨论,其中3名博士生在大会上介绍论文工作。

开幕式现场

大会开幕式于5月11日上午举行。中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃致开幕辞。郝跃院士热烈欢迎来自国内外EDA领域专家学者、师生和产业界嘉宾来到久负盛名的十三朝古都西安,参加本届ISEDA 2024大会,共同探讨交流EDA学术界研究成果和产业界最新进展,碰撞创新思想火花,加快推动EDA各领域学术进步。EDA作为支撑集成电路产业的基础工业软件,在后摩尔时代集成电路技术的大规模工业生产应用中扮演着关键角色。郝跃院士强调,学术界与产业界需密切协作,共同研发支撑各类集成电路、新型半导体材料器件设计生产的全流程工具链,以增强产业链韧性,推动后摩尔时代集成电路产业健康发展。

郝跃院士致开幕辞

黄如院士在开幕致辞中提到EDA技术不仅要满足设计规模不断扩大的需求,还需在器件功能愈加精细化的趋势下,不断提升其设计和验证能力。同时,EDA技术将与异构计算、AI与云存储、数据库等领域进行深度融合,共同推动EDA领域的创新与发展。面对这些挑战和机遇,黄如院士呼吁广大研究者将EDA创新研究与行业实际应用紧密结合,共同成就 EDA 的黄金时代!

黄如院士致开幕辞

在开幕式上,同时为EDA²侠客岛难题挑战赛和EDA精英挑战赛(麒麟杯、菁英杯)获奖队伍,以及EDA精英挑战赛专业贡献奖获奖人颁发了证书。颁奖仪式由郝跃院士、黄如院士、刁焱秋先生担任颁奖嘉宾,并与北京大学王润声教授、西安电子科技大学游海龙教授共同发布了第六届大赛命题指南。

深圳市海思半导体有限公司CIO刁焱秋先生在颁奖致辞中对获奖师生表示祝贺,并鼓励大家继续开拓创新、勇于解决工业界难题,促进多元化EDA工具链发展和竞争力构建。

刁焱秋先生颁奖致辞

本次大会荣幸邀请到11位中外权威专家学者进行主旨报告,他们就电子器件模型创新、3D AI芯片技术、功率感知LSI测试方法、互连测试与修护策略、ESD设计验证以及人工智能技术的最新发展等议题,与参会者进行深入探讨与交流。

中国科学院外籍院士、加拿大皇家科学院院士、麦克马斯特大学教授Jamal Deen作为大会首位报告嘉宾为与会者带来题目为“Compact Modeling of Organic/Polymeric Thin Film Transistors for Flexible Electronics”的精彩报告。在报告中,Jamal Deen教授深入剖析了有机/聚合物薄膜晶体管的紧凑模型,展示了这一领域的最新研究成果及其在实际应用中的巨大潜力。他详细讲解了紧凑模型的构建原理、工作机制以及其在柔性电子学中的重要应用。

IEEE会士、ACM会士、瑞士洛桑联邦理工学院教授David Atienza Alonso发表题为“Dynamic Thermal Management and Adaptive Modeling for 3D AI Chips”的大会报告。在报告中,David Atienza Alonso教授深入剖析了最新的科研成果和学术动态,不仅从多角度、多层次地分享了最新的研究进展,还针对3D AI芯片的动态热管理和自适应建模等关键技术进行了详尽的阐述。

IEEE会士、日本九州工业大学教授、集成系统研究中心主任Xiaoqing Wen分享了题目为“Power-Aware LSI Testing: Present and Future”的大会报告。Xiaoqing Wen教授详细介绍了功耗感知测试技术,并呼吁研究人员和工程师通过深入研究开关活动对功率和延迟的影响,来开发更先进的测试方案,以实现LSI测试功率的有效管理。

韩国科学技术院教授John Kim深入探讨了“The Hidden Interconnect (or Communication) Challenges”,强调随着计算和内存容量的不断扩展,互连或通信已成为制约系统整体性能和可扩展性的核心挑战。他详细分析了现代系统中隐藏的互连问题,以及这些问题对系统设计、性能、可靠性/安全性和成本的重大影响,并通过案例研究展示了近期互连架构的发展趋势。

IEEE会士、Ampere Computing公司杰出工程师Sreejit Chakravarty发表题为“EDA Challenges in Chiplet Interconnect Test and Repair”的大会报告。他强调了先进封装技术推动下的芯片设计革新对半导体行业的深远影响,并深入探讨了互连测试与修复的关键挑战、IEEE P3405标准的重要性以及EDA在实现标准化解决方案时所面临的挑战。

Integrated Insights创始人、前麦肯锡公司亚洲半导体业务主管合伙人Christopher Thomas作题目为“Big Trends and Big Questions: Thoughts on the Future of Our Industry”的大会报告。他的报告不仅深入剖析了当前半导体行业的发展趋势,还基于自己丰富的行业经验,对行业的未来发展方向提出了独到的见解。

IEEE会士、伊利诺伊大学教授Elyse Rosenbaum聚焦“Circuit Simulation of Integrated Circuit Response to ESD”发表大会报告。她指出,为了平衡ESD保护电路对性能的影响与满足ESD规范的需求,通过电路仿真来验证ESD设计至关重要。她介绍了用于ESD仿真的紧凑模型,并通过案例研究展示了其应用。

全芯智造技术有限公司创始人兼CEO倪捷作题为“Manufacturing EDA in the Era of Generative AI”的大会报告。他在报告中指出生成式AI技术正推动EDA向更高效、自动化的方向发展,通过整合设计、制造和三维封装流程,显著提升了先进芯片的研发和生产效率。

杭州广立微电子股份有限公司副总裁Sa Zhao以题为“Effective Yield Diagnosis – Bridging Design & Manufacturing”作大会报告。她在报告中介绍了如何通过集成数据框架和设计、制造之间的协同工作,结合DFT、生产数据和细粒度工艺监控器,实现良率驱动因素和机制的有效识别与量化,进而支持生产改进和DFM缓解措施。

北京华大九天科技股份有限公司市场合作总监余涵在大会上分享了“Recent Progress of AI Algorithms for EDA”报告,着重展示了采用机器学习和神经网络技术的商业EDA工具,并探讨了大型语言模型在EDA行业的潜在应用。

IEEE会士、德国卡尔斯鲁厄理工学院教授Mehdi B. Tahoori发表题为“Printed Computing: Design Automation and Computing based on Additive Printed Electronics”的大会报告,重点介绍了基于增材印刷电子技术的设计自动化和计算模式,这一技术在新兴应用领域如可穿戴设备、智能传感器和物联网中展现出巨大潜力,同时提出了解决其独特挑战的设计自动化和计算范例。

本次大会汇聚了业内顶尖专家学者,学术氛围浓厚,形式丰富多样,设置了11场主旨报告、12场Tutorial、4场论坛、10余场Workshop、29个邀请报告、136场分会场口头报告和16场海报报告,还特别策划了圆桌讨论、产业成果展示和竞赛论坛等多元化活动。

10日下午起,各专题分会场如测试算法突破,开源EDA新动向,模拟EDA新展望,多物理场分析与仿真,下一代综合技术,系统、工艺与设计联合优化,AI4EDA新应用,EMIR与PE的前沿技术,设计与验证,设计方法学探索等纷纷启动,众多专家学者围绕各自领域的热点话题展开了热烈讨论,在广泛深入的讨论中,碰撞出了前沿科技的智慧火花、探讨了未来产业的发展方向,为EDA领域发展提供宝贵的智力支撑。集成电路学院的老师作出了精彩的报告,同学们积极参与讨论活动。

学院师生参会掠影

本次大会收录的我校师生论文情况如下:

[1]Lixia Han, Siyuan Chen, Peng Huang, Xiaoyan Liu,” CoMN: Co-design Platform for Non-volatile Memory Based Neural Network Inference Accelerators”.

[2]Jing Mai, Jiarui Wang, Yifan Chen, Zizheng Guo, Xun Jiang, Yun Liang, Yibo Lin,” OpenPARF 3.0: Robust Multi-Electrostatics Based FPGA Macro Placement Considering Cascaded Macros Groups and Fence Regions”.

[3]Xiaohan Gao, Haoyi Zhang, Zhu Pan, Yibo Lin, Runsheng Wang, Ru Huang,” Migrating Standard Cells for Multiple Drive Strengths by Routing Imitation”.

[4]Qipan Wang, Tianxiang Zhu, Yibo Lin, Runsheng Wang, Ru Huang,” ATSim3D: Towards Accurate Thermal Simulator for Heterogeneous 3D-IC Systems Considering Nonlinear Leakage and Conductivity”.

[5]Hengyi Liu, Sihao Chen, Wu Dai, Yu Li, Baokang Peng, Lining Zhang, Runsheng Wang, Ru Huang,” A Neural Network-based Framework for Accelerated Device-Circuit Electrothermal Co-Simulations in GAAFETs”.

[6]Yuanzhao Hu, Fei Liu, Xiaoyan Liu,” Optimization of Breakdown Characteristic for SiC MOSFETs by Self-developed Simulator”.

[7]Xiaobao Zhu, Baokang Peng, Feilong Ding, ZiyuXie, Yihan Chen, Lining Zhang,” Impacts of Parasitic Effects on PCM-based Neuromorphic Circuits under Advanced Technology Nodes”.

[8]Xinyue Zhang, Fangxing Zhang, Cong Shen, Zirui Wang, Runsheng Wang, Lining Zhang, Ru Huang,” Modeling the Temperature-dependence of Silicon Diode with Fermi-Dirac Statistics down to 50K”.

(根据EDA2等相关新闻编辑)