2025-10-21
未名·芯论坛 | 第六十五期成功举行
2025年10月12日，由北京大学集成电路学院、集成电路学院高精尖创新中心、北京大学国家集成电路产教融合创新平台、集成电路科学与未来技术北京实验室、后摩尔时代微纳电子学科创新引智基地及北京大学校友会半导体分会联合主办的未名·芯论坛系列讲座第65期在北京大学集成电路学院103报告厅举行。本期邀请到意大利帕维亚大学（University of Pavia）教授、著名模拟/混合信号电路设计专家 Franco Maloberti 以 "Do CAD Tools Help or Hurt Analog Design?" 为题作报告，讲座由唐希源研究员主持。
Maloberti 教授回顾了从1970年代至今的模拟电路计算机辅助设计（Analog Computer-Aided Design）发展脉络，见证了电路设计从需要手绘电路板和肉眼检查到一键即可完成电路仿真和版图验证的发展历程。接着，Maloberti 教授从模拟电路设计者的个人生涯发展视角出发，将职业发展阶段概括为beginner、designer、expert、educator 和 manager 五种状态...
2025-10-05
北京大学关工委调研指导集成电路学院关心下一代工作
9月29日，北京大学关工委赴集成电路学院，开展了关心下一代工作调研会。北京大学关工委常务副主任孙丽，副主任郝光安、宋豫秦，老同志副秘书长刘寿安，委员安国江、刘宝栓、莫多闻、杨展澜、张蓓参加调研。集成电路学院党委书记、关工委主任王源，副书记、关工委副主任张舒，副书记刘军华，关工委委员吉利久、王漪，退休老教授甘学温、倪学文，及团委书记、关工委秘书长王凌越等参加座谈。会议由张舒主持。
会上，王源介绍了集成电路学院关工委工作情况。一是铸魂育人守初心，夯实理想信念根基，以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，深入贯彻习近平总书记关于青年工作的重要论述，持续强化青年师生理想信念教育。二是健全机制强保障，提升工作运行效能，形成“党委统领、关工委牵头、多方协同”的工作格局，推动工作有章可循、有序推进。三是发挥“五老”传帮带，助力青年全面成长，系统构建传帮带机制，融入“暖芯、关芯、爱芯”育人体系，为青年师生成长注入智慧力量。四是精准服务聚人心，强化双向赋能机制，通过有温度、有力度、有深度的为老服务工作，凝聚“银龄力量”，实现服务保障与育人实效双提升。五是持续创新促发展，谱写工作新篇章，继续以...
2025-09-28
北京大学集成电路学院成果荣获2025年度“CCF科技成果奖”自然科学奖一等奖
9月21日，中国计算机学会（CCF）公布了2025年度“CCF科技成果奖”评选结果。由北京大学集成电路学院作为第一完成单位的项目“面向人工智能领域的定制架构设计理论与方法”（完成单位：北京大学、中国人民解放军国防科技大学、上海交通大学；主要完成人：孙广宇、董德尊、张宸、关义金、梁云、王润声）荣获自然科学奖一等奖。
随着人工智能领域对芯片算力、能效和可靠性等指标的需求飞速增长，受限于摩尔定律的放缓，通用处理器架构已难以满足这些严苛需求。因此，发展面向特定领域需求的定制架构芯片已成为支撑人工智能发展的核心基础。该项目针对领域定制架构设计中缺乏系统性理论指导和自动化设计工具的核心难题，提出了一套面向芯片定制架构设计的资源表征与综合评估理论，并在此基础上，发展了软硬件协同自动化设计、“算法-架构”协同优化、“架构-工艺”协同可靠性仿真等创新设计方法，显著提升定制架构的处理效率与设计效率。
图1: (a) 架构表征与评估理论; (b) 架构自动化设计方法; (c) 架构协同优化方法
项目取得的八篇代表作论文发表于芯片架构设计与自动化领域的国内外顶级...
2025-09-25
集成电路学院举办1981级同学返校活动
金秋送爽，丹桂飘香。9月21日上午，北京大学微电子专业1981级同学返校活动在集成电路学院103报告厅举行，时任教师代表吉利久、倪学文、甘学温、张天义、莫邦燹等老教授应邀参加。会议由学院教授郝一龙主持。
会上，学院副院长鲁文高代表学院对各位校友重返母校表达了诚挚的欢迎和问候，并介绍集成电路学院发展情况，校友代表李晓光做了致辞，各位毕业生向与会老师介绍了毕业后的学习工作情况。院长蔡一茂向各位校友送上祝福，并希望大家常回来。各位老教授也先后在会上讲话。
座谈会在欢聚的喜悦和浓浓的温情中顺利结束。最后，81级同学们合影留念，并期待再相聚。
2025-09-23
集成电路学院教师担任MLCAD 2025大会共同主席，推动机器学习与IC设计自动化融合
2025年9月8日至10日，ACM/IEEE International Symposium on Machine Learning for CAD（MLCAD 2025）在美国加州圣克鲁斯举行。作为机器学习辅助集成电路设计自动化领域的重要国际会议，MLCAD聚焦将机器学习技术应用于电子芯片与系统设计自动化的各个方面，涵盖算法、工具、应用案例、基准测试及大模型辅助设计等前沿方向。
我院林亦波副教授受邀担任本届大会共同主席（General Co-Chair），与来自美国德州农工大学、韩国科学技术院、马里兰大学、Synopsys等国际知名高校和企业的专家共同组织本次会议。这不仅体现了我院在EDA与AI辅助芯片设计领域的国际影响力，也标志着我院在推动人工智能与集成电路设计融合方面迈出了坚实一步。
MLCAD 2025由ACM SIGDA与IEEE CEDA联合主办，会议论文将被收录进ACM与IEEE联合出版的正式会议论文集，并收录于IEEE Xplore与ACM Digital Library数据库。会议议程还包括了工业论坛、竞赛及专题讨论，为全球学术界与产业界提供深入交...
2025-09-21
未名·芯论坛 | 第六十四期成功举行
9月16日上午，由北京大学集成电路学院、集成电路学院高精尖创新中心、北京大学国家集成电路产教融合创新平台、集成电路科学与未来技术北京实验室、后摩尔时代微纳电子学科创新引智基地及北京大学校友会半导体分会联合主办的“未名·芯”论坛系列讲座第六十四期在微纳电子大厦103报告厅成功举办。本期邀请德国德累斯顿纳米电子材料实验室（NaMLab）的副科学总监 Uwe Schroeder带来题为“Doped HfO2-based ferroelectrics - Trends and Challenges”的精彩讲座。讲座由北京大学集成电路学院唐克超研究员主持。
铁电存储器技术凭借其高速、低功耗和非易失性等优势，被认为是未来存储技术的重要发展方向之一。在众多候选材料中，氧化铪基铁电材料因其与主流半导体CMOS工艺高度兼容，并且在纳米尺度下仍能保持稳定的铁电特性，展现出卓越的微缩潜力和3D集成可行性，因而成为当前学界和工业界关注的焦点之一。Uwe Schroeder博士聚焦于铁电氧化铪材料的性能研究及其在未来器件中的集成探索，致力于解决该材料从实验室走向产业化应用的关键挑战。
讲座中...
2025-09-09
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心研究团队在人工智能隐私计算方向取得重要进展
在人工智能大模型快速发展的今天，如何在保护用户隐私的同时高效运行 Transformer 模型，已成为学术界与产业界共同关注的前沿问题。用户的输入数据往往涉及医疗、金融、语音等高度敏感的内容，而大模型的参数本身则是企业的核心资产。如何做到“既能用，又安全”，是隐私计算研究必须解决的关键挑战。然而，现有的隐私推理框架往往依赖同态加密（HE）处理线性层、依赖多方安全计算（MPC）处理非线性层，不可避免地引入频繁的协议切换与通信，导致开销居高不下。以往的工作虽然尝试在层与层之间进行有限的融合，但受制于密文比特宽度膨胀和运算协议效率不足，其提升效果仍相对有限。
在此背景下，北京大学集成电路学院李萌助理教授团队与 TikTok 的联合团队提出了一种全新的隐私推理框架 BLB（Breaking the Layer Barrier）。BLB 的核心思想是“打破层级边界”，不再将一层作为基本单位，而是将模型拆解到算子级别进行细粒度融合。在 Transformer 模型中，诸如 LayerNorm、GeLU、Softmax 等非线性层都可以分解为多个线性算子与非线性算子的组合。BLB 通过将这...
2025-09-04
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心唐克超研究员团队与合作者在新型忆感器研究中取得重要进展
在神经元中，离子（如 Na⁺、Ca²⁺）的流动构成了大脑处理信息的“信号语言”——它们穿越细胞膜，引发神经元的兴奋与响应，实现感知和记忆。正因如此，模拟这种“离子驱动”的感知与记忆行为，已成为类脑电子器件研究的重要方向。尤其是在水下、盐水或体液等典型“湿环境”中，开发能同时具备感知功能和信息留存能力的器件，对于类脑计算、智能机器人、生物接口、环境监测等领域具有重大意义。然而，水中丰富的可移动离子也带来了根本性的挑战：它们会在纳米尺度上迅速屏蔽电场，形成所谓的 Debye 屏蔽效应。这不仅限制了离子的响应速度，也使得传统器件在液体环境中往往依赖外加电压，限制了器件设计的灵活性。
图1 基于VO2-In材料体系的无偏压离子忆感器
在此背景下，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心唐克超研究员团队联合美国加州大学伯克利分校团队，开发出一种新型的无源忆感器（Memsensor）。该器件可通过材料表面的离子迁移速率感知液体中盐浓度，并将这种环境信息写入材料本身，实现无电源、可保持的“记忆”功能。忆感器由 VO2薄膜和紧贴其表面的铟（In）金属构成，利用固液界面的内建电...
2025-09-04
集成电路学院组织师生集中观看九三阅兵
2025年9月3日上午，纪念中国人民抗日战争暨世界反法西斯战争胜利80周年大会在北京天安门广场隆重举行。为保障全院师生有序观看，集成电路学院在微纳电子大厦103报告厅与新燕园校区教学楼210教室等地设置多个集中观看点，同步直播阅兵仪式盛况，共同见证这一庄严的历史时刻。
上午9时，阅兵仪式正式开始。当雄壮的国歌声通过屏幕传来，全体师生自发起立，齐声高唱，庄严的旋律回荡在每个会场。随着阅兵式的推进，一个个方队依次通过天安门广场。空中护旗梯队由多型直升机组成多个编队，护卫着旗帜飞过天空。徒步方队体现着“一老一新”的特点；装备方队按实战化联合编组，展示了我军制胜现代战争的强大能力。
庄严隆重的场面、铿锵有力的步伐、威武雄壮的装备方队依次通过天安门广场，充分展现了国家强大的国防力量和现代化建设的辉煌成就。观看现场气氛热烈，师生们全神贯注，情绪高昂，不时为人民军队的飒爽英姿和自主研发的先进武器装备鼓掌喝彩，民族自豪感和爱国热情洋溢在各个会场。
值得一提的是，观礼台志愿者、集成电路学院2023级博士研究生孔子琛、周正华，广场合唱团成员、2025级博士研究生王嘉瑞，...
2025-09-04
燕启芯程—北京大学集成电路学院隆重举行2025年开学典礼
2025年9月2日上午，北京大学集成电路学院2025年开学典礼在微纳电子大厦103报告厅隆重举行。
集成电路学院党委副书记刘军华，副院长刘晓彦、鲁文高，校友代表、北方集成电路技术创新中心副总经理、教授级高工卜伟海，班主任代表胡鸿杰、卓有为，教务办公室金莲玉，团委书记王凌越，学生工作办公室周安东，学生辅导员许柏城、卢大伟、高一同学，以及集成电路学院全体2025级新生参加典礼。典礼由党委副书记张舒主持。
在雄壮的国歌声中，典礼正式开始。
党委书记王源教授发表致辞。他代表学院向全体新生表示热烈欢迎与诚挚祝贺，回顾了北大集成电路事业的发展历程，展望了国家战略科技的宏大图景，强调同学们正站在科技强国时代使命与个人学术追求交汇的起点上。他勉励大家志存高远、勇于创新、涵养格局，把个人成长融入国家发展大局，勇担科技报国重任。他寄语新生在北大“集成”梦想，于时代“铸芯”前行，不负韶华，奋楫启航。
随后，卜伟海作为校友代表发言。他结合自己在北大求学九年的经历，勉励同学们珍惜研究生阶段的学习机会，锤炼系统思维，培养解决复杂问题的能力。他鼓励大家勇于探索、敢于创新...
2025-08-11
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心研究团队论文荣获第30届国际低功耗电子与设计研讨会ISLPED“最佳论文奖”
8月6日至8日，第30届IEEE/ACM国际低功耗电子与设计研讨会(IEEE/ACM International Symposium on Low Power Electronics and Design)于冰岛雷克雅未克召开。在会议闭幕式上，北京大学集成电路学院贾天宇研究员团队的论文“GenSoC: A Multi-Agent-Assisted Soc Generation Methodology Leveraging Open-Source Hardware”荣获会议EDA track“最佳论文奖”。
成果介绍：
当前系统SoC芯片设计面临着复杂度剧增、研发周期漫长及人力成本高昂等关键挑战，集成电路学院研究团队在本工作中提出首个基于大型语言模型（LLM）的多智能体辅助SoC生成框架与方法。该框架通过端到端自动化流程，集成90余类开源硬件IP库，颠覆传统手动编码与GUI工具依赖，实现从IP选择到芯片验证的全栈智能生成，极大加速定制化SoC开发。GenSoC框架采用创新的多智能体协同范式，通过三大核心智能体无缝融合芯片设计全流程，突破了传统设计方法的效率瓶颈。在本工作，研...
2025-08-01
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在日本熊本市举行。北京大学集成电路学院两篇高水平论文入选，向国际功率器件与功率集成电路领域的同行展示了北京大学最新的研究成果。这两篇论文内容涉及GaN CMOS集成技术、SiC MOSFET可靠性物理研究。论文详情如下：
1 高性能GaN CMOS集成技术
GaN CMOS逻辑电路是提升GaN功率芯片高频特性的重要技术环节。然而，当前GaN p沟道场效应管 (p-FET) 的低电流密度问题限制了该技术的发展。针对这一问题，当前多数研究聚焦于器件沟道区域的优化，然而，p-FET低电流密度问题仍未得到有效解决。
北京大学魏进团队研究发现源极电阻对电流密度具有重要的影响。首先，研究团队通过TCAD仿真发现源极电阻降低器件沟道处的有效栅压，从而降低器件电流密度和增大器件的沟道电阻。为优化器件源极电阻从而提升电学性能，该团队通过在器件接入区域插入一层Al0.7Ga0.3N，利用电离增强的方案有效...
2025-08-01
北京大学-微米纳米加工技术研修班第二期成功举办
2025年7月25日至7月27日，微米纳米加工技术研修班第二期成功举办，本期研修班由北京大学集成电路学院和微米纳米加工技术全国重点实验室主办。共有来自超过30个单位的学员参与到学习与交流中，学员中包括中国电子科技集团、中国航天科工集团、赛微电子股份有限公司、启元实验室、南京原子制造研究所等企业科研人员，以及来自北京大学、南京大学、北京理工大学、北京航空北京信息科技大学等高校师生。
北京大学-微米纳米加工技术研修班以专家授课、参观见学和学术交流的方式，为学员全面讲解微米纳米加工技术基础理论与前沿研究，为业内研究人员提供了学习和交流机会，贯通高校与产业的协同创新通道。
本次研修班联合北京大学-微米纳米加工技术前沿论坛，邀请到西北工业大学机电学院张和民教授分享用微机械谐振器认识和改造客观世界；湖南大学机械与运载工程学院段辉高教授讲解了高分辨电子束光刻技术及其光学应用；中国科学院上海微系统与信息技术研究所武震宇研究员解析了光学微机电系统技术的发展和现状；武汉大学集成电路学院吴国强教授介绍了高频率-温度稳定性MEMS谐振器的技术要点和应用场景。
研...
2025-07-21
集成电路学院研究生导师论坛成功举办
为进一步加强导师队伍建设，规范研究生培养流程，提升研究生培养质量，7月17日下午集成电路学院举办研究生导师论坛。党委副书记刘军华、张舒，教学副院长刘晓彦，资深教师代表张大成，青年教师代表林亦波及40余位研究生导师齐聚一堂，共同探讨学院研究生教育的发展和未来，论坛由梁云教授主持。
党委副书记刘军华就师德师风专题做了讲话，阐述了师德师风的概念及其在教师职业属性及中国传统文化和新时代的影响，他表示教师应牢记“为党育人、为国育才”使命，践行“为学为事为人”示范，促进学生全面发展。接着，他强调，《新时代高校教师职业行为十项准则》是师德师风根本要求，师德师风是评价教师素质的第一标准，学校将对失德失范行为严肃处理，确保师德师风建设落到实处。
党委副书记刘军华
党委副书记张舒的分享主题是"筑牢心防，护航成长"，她表示学院非常重视学生心理健康教育，从新生入学伊始，就积极开展一系列心理健康教育活动和讲座，为学生的研究生生活保驾护航。
党委副书记张舒
教学副院长刘晓彦对新的学位法规定进行了解读，并就学院2025年及2026年度招生情况、论文抽查制度、学...
2025-07-18
未名·芯论坛 | 第六十二期成功举行
7月11日下午，由北京大学集成电路学院、集成电路学院高精尖创新中心、北京大学国家集成电路产教融合创新平台、集成电路科学与未来技术北京实验室联合主办的“未名·芯”论坛系列讲座第六十二期在微纳电子大厦103报告厅成功举办。本期邀请瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）的Prof. Kumar Varoon Agrawal带来题为“Harnessing Nanoscale Insights to Engineer Scalable Atom-Thin Membranes: Journey from Lab Scale to Industrial Prototype”的精彩讲座。讲座由北京大学集成电路学院王路达研究员主持。
分离膜技术对于提高碳捕获效率和降低分离能耗等具有重要意义，因二维材料具有原子级薄的厚度，是未来理想的分离膜材料之一，可同时实现高渗透性和高选择性。Agrawal教授聚焦于高性能CO2分离膜的结构设计和扩展制备研究，致力于解决二维材料分离膜发展至今存在的可控孔引入和大规模制备两大关键挑战。
可控孔引入技术的难点在于同时实现埃米级尺寸的孔径、较窄的孔径分布和较高的...
2025-07-15
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心39篇论文入选Transducers 2025
2025年6月29日至7月3日，第23届固态传感器、执行器与微系统国际会议（TRANSDUCERS 2025）在美国奥兰多成功举办。TRANSDUCERS是固态MEMS传感器、执行器与微系统领域里最顶尖的国际会议之一，每两年举办一次。该会议吸引来自全球大学、研究机构、行业企业与政府机构的专家学者参与，共同探讨电子、机械、光学、磁、热和生物MEMS器件以及微系统方面的重大科学技术突破，在国际学术界和工业界均享有很高的学术地位和广泛影响。按照论文第一单位统计，北大集成电路学院问鼎TRANSDUCERS 2025全球论文榜首，共有39篇高水平学术论文入选，成为在本届会议上录用论文最多的单位。研究成果覆盖了面向生物传感、脑机接口、工业检测、消费电子等多个领域的惯性、压力、声学、压电MEMS、柔性微电极、可共型传感阵列、生物传感器等前沿器件和微系统，部分内容简介如下：
一、可植入/可穿戴生物电极技术
1.一种基于可图案化可溶支撑层的变刚度植入式神经电极
植入式神经电极已经成为先进脑机接口系统不可或缺的工具，通过被植入不同的脑区，可以高通量、高时空分辨率地感测大脑神经活动，...
2025-07-11
北京大学集成电路学院2025年优秀大学生夏令营成功举办
盛夏七月，梦想启航。2025年7月4日-6日，北京大学集成电路学院 2025 年优秀大学生夏令营成功举办，吸引了来自全国各高校的优秀本科生齐聚燕园，共赴知识与梦想的盛宴。本次夏令营旨在让广大青年学子深入了解北大集成电路学院以及学科前沿动态，吸引更多有志之士投身于我国集成电路领域的建设。
7月4日上午，营员们在微纳电子大厦103报告厅有序报到，领取夏令营营服等材料，脸上洋溢着期待与兴奋。
下午14时，夏令营开营仪式在二教102举行，集成电路学院副院长刘晓彦教授代表学院欢迎同学们的到来，并介绍了夏令营日程安排。她的致辞让营员们对后续活动满怀期待。
刘晓彦教授致开营辞
集成电路学院院长蔡一茂教授向同学们介绍学院发展历程、现状与科研成果。他指出，集成电路学院紧紧依托北京大学深厚卓越的学科优势，精心搭建起了一套全面且独具特色的集成电路学科专业方向体系，这些专业方向紧密围绕当下产业实际需求，精准发力，致力于培养出一批批能够引领行业未来发展方向的创新型顶尖人才。他鼓励同学们在学院平台追逐科研梦想，实现自我价值，为我国集成电路行业添砖加瓦。
蔡一...
2025-07-07
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心12篇论文入选VLSI 2025
2025年6月8日至12日，超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI Technology and Circuits，简称VLSI）在日本京都成功举办。按照论文第一单位统计，北京大学集成电路学院共有12篇高水平学术论文入选，成为在本届VLSI上国内录用论文最多的高校（technology部分全球高校第一）。研究成果覆盖了先进逻辑器件、新型感存算融合器件与GaN功率器件、以及电路设计与芯片研究等多个领域，相关内容简介如下：
一．先进逻辑器件研究
1.倒装堆叠晶体管的高密度集成验证
当前，晶体管微缩已接近物理极限，集成电路行业正积极探索3D堆叠晶体管和背面互连技术等新型架构。然而，这些先进技术面临着高深宽比工艺难点以及设计复杂性等挑战。倒装堆叠晶体管（FFET）通过自对准地背靠背堆叠正面（FS）NFET和背面（BS）PFET，并结合双面电源/信号互连，可实现高密度的晶体管和互连线集成。在此基础上，为获得完整晶圆级集成结果，经过一年多的打磨，北京大学吴恒研究员-黄如院士团队开发了一系列关键工艺模块，包括晶圆键合、衬底减薄、背面沟道形貌优化以及...
2025-07-03
北京大学集成电路学院孙广宇团队在"面向边缘侧LLM推理场景的DRAM近存计算架构"方向取得重要进展
大语言模型（Large Language Model，LLM）已成为人工智能领域最具影响力的技术突破之一。凭借强大的语言理解与生成能力，LLM在问题推理、聊天助手、代码补全等多种任务中展现了出色性能。随着大语言模型的广泛应用，如何在边缘设备上实现高效的大语言模型推理，在满足用户的个性化定制、数据隐私等需求的同时，提供流畅的用户体验，已成为大语言模型落地部署中亟待解决的重要问题。
近日，北京大学集成电路学院孙广宇团队在面向大语言模型推理加速的定制DRAM近存计算架构方向取得重要进展。基于DRAM的近存计算架构通过将计算逻辑嵌入DRAM存储阵列，可以有效提升计算系统的访存带宽，并降低访存能耗，因此被认为是突破传统架构“存储墙”和“功耗墙”瓶颈的重要技术路线之一。为充分加速大语言模型推理中的预填充（Prefill）和解码（Decoding）两个阶段，现有架构设计采用基于中央处理器（GPU、NPU等）与DRAM近存计算相结合的异构架构，对计算密集和访存密集的算子同时进行加速。然而，虽然现有DRAM近存计算架构可提供更高带宽，但将计算逻辑嵌入DRAM芯片的架构设计限制了其可提供的算力，...
2025-07-03
北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共3篇论文入选第52届国际计算机体系结构研讨会（ISCA）
6月21日至25日，第52届国际计算机体系结构研讨会（ISCA 2025）在日本东京召开。在本次大会上，来自全球学术界与产业界的专家分享了计算机体系结构及相关领域的最新研究成果，讨论了体系结构未来发展的挑战与方向。集成电路学院的相关师生现场参加了本次大会，进行了成果展示、汇报与深入交流。在本次大会上，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心共3篇论文入选，入选论文具体介绍如下：
1.面向边缘侧LLM推理场景的DRAM近存计算架构设计
为加速边缘侧大语言模型推理，现有架构设计采用基于中央处理器（GPU、NPU等）与DRAM近存计算相结合的异构架构，对计算密集和访存密集的算子同时进行加速。然而，虽然现有DRAM近存计算架构可提供更高带宽，但将计算逻辑嵌入DRAM芯片的架构设计限制了其可提供的算力，导致其难以充分加速边缘侧推理计算。为缓解这一问题，孙广宇团队基于混合键合（Hybrid Bonding）这一新兴工艺，研发了面向边缘侧的LLM推理加速架构H2-LLM。H2-LLM提出了一套通用的近存计算架构模板，并抽象出架构设计空间，以协调混合键合工艺所固有的算力与带宽之间的权...
