7月25日上午10时，由北京大学集成电路学院、集成电路高精尖创新中心、北京大学国家集成电路产教融合创新平台、集成电路科学与未来技术北京实验室、后摩尔时代微纳电子学科创新引智基地、北京大学校友会半导体分会联合主办的“未名·芯”论坛系列讲座第三十二期在线上线下成功同步举办。本期邀请到香港科技大学王文教授为大家带来主题为“Metal-Oxide Thin-Film Transistor: Technology, Modelling and Application to the Implementationof Intelligent Sensors”的报告。讲座由北京大学集成电路学院卢奕鹏副教授主持。
在报告中，王文老师介绍了基于金属氧化物半导体的低温薄膜晶体管（Metal Oxide Thin-Film Transistors, TFT）技术，讨论了金属氧化物半导体中本征缺陷的氧化和还原动力学模型及其在智能传感器实现中的应用。
金属氧化物薄膜晶体管（Metal Oxide Thin-Film Transistors, TFT）是一种具有广泛应用潜力的新型半导体技术。在主流TFT技术中，使用金属氧化物，其相较于使用氢化非晶硅（a-Si:H）、低温多晶硅（LTPS）有许多优势，如：高迁移率、低泄漏、可实现低温工艺和低成本大规模生产、可弯曲等。报告中介绍了TFT技术的原理和制备过程，并强调了该技术在柔性衬底上实现电子系统和单片集成的潜力。这种低温技术为电子器件的制造也提供了更多可能性。
在报告中，王老师介绍了金属氧化物半导体中本征缺陷的氧化和还原动力学模型，并探讨了这些模型在理解TFT的工艺依赖性和行为方面的应用。这些模型的研究有助于改进TFT的性能和稳定性。报告中还谈到金属氧化物薄膜晶体管在传统硅晶体管上的三维堆叠技术。王老师详细解释了一种特殊结构的并联双栅（DG）TFT，其中沟道夹在两个栅电极之间。他指出，通过在一个电极上施加偏压来调制另一个电极上的阈值电压，可以实现对DG TFT的控制，这种行为可以被有效利用。
在TFT技术的应用中，王老师展示了将金属氧化物薄膜晶体管应用于触觉传感器阵列和人工神经网络构建的应用。他指出，通过将TFT与触觉传感器和人工神经网络结合在一起，可以实现智能传感器的单片集成，为智能化应用提供了更多的可能性。
在报告的结尾，王老师总结了金属氧化物薄膜晶体管技术的重要性和潜力。他强调了该技术在智能传感器领域的应用，并展望了未来可能的发展方向。通过继续研究和创新，金属氧化物薄膜晶体管有望在各个领域带来更多的突破和应用。
在提问环节，线上与线下的参会者踊跃发言，大家就“pvdf的应用以及使用工艺”、“TFT技术应用在传感器和显示器时分别有什么优势”、“设计3D stack的注意事项”、“TFT相较于双层晶体管有什么优势”、“应用TFT时如何兼顾pvdf的温度限制”等问题提问，王老师进行逐一解答。
个人简介：
From 1988 to 1992, Man Wong was with the Semiconductor Process and Design Center of Texas Instruments, USA and worked on the modeling and development of integrated-circuit metallization systems and dry/vapor surface-conditioning processes. Since 1992, he has been with the Department of Electronic and Computer Engineering at The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong. He was appointed the Director of the State Key Laboratory of Advanced Displays and Optoelectronics Technologies in 2021. He has served on journal editorial boards, technical program committees, and as general chair of conferences. He and his students have published about 550 journal and conference papers. For his contribution to education, he received the 2021 Society forInformation Display Slottow-Owaki Prize.
