10月29日上午，美国工程院院士、加州大学伯克利分校胡正明（Chenming Hu）教授莅临北京大学信息技术与信息化名家讲坛，在微纳电子大厦一楼报告厅做了一场题为“鳍式场效应晶体管——大学创新引领半导体行业”（ FinFET--A University Innovation Takes over the Semiconductor World）的学术报告。来自信息科学技术学院的200余名师生到场聆听了报告。报告会由北京大学信息科学技术学院副院长黄如教授主持。

报告会开始前，首先举行了北京大学微纳电子学研究院国际顾问委员会主任颁授仪式，微纳电子学研究院首席科学家王阳元院士向胡正明教授颁发了主任聘书。

专题报告中胡正明教授以传统晶体管技术存在的主要缺陷为切入点，揭示了新结构器件——FinFET提出的背景和契机，明确了该项技术的着眼点和突破口。接着，他为大家详细介绍了FinFET技术的结构原理和研究进展，分析了这种新结构的优势所在，并对FinFET技术在未来集成电路设计中的广阔应用前景进行了展望。

胡正明教授还分享了个人学术经历和科研经验。他指出，科研工作者的创新应以社会需求为指引，提出更好的解决途径，以服务于可用于实际生产生活的产品。他鼓励所有青年学生在科研领域要充满信心与热情，要敢于发现并尝试，要勇于探索和追求，同时，他还针对掌握科研方法、培养科研精神等问题为青年学生提出了具体建议。

在自由交流环节中，在场师生踊跃提问，胡正明教授一一给予耐心、细致的回答。报告会结束后，黄如教授代表信息科学技术学院向胡正明教授赠送了名家讲坛水晶纪念牌。

最后，王阳元院士作了总结发言。他从国家战略需求和技术发展趋势的角度，阐述了微纳科学技术的发展前景，表达了对同学们的殷切期望。

精彩的报告和发言让与会师生受益匪浅。本期讲坛在热烈的掌声中圆满结束。

 

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胡正明（Chenming Hu），微电子学家，美籍华人。1947年7月出生于中国北京，1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学客座教授。1997年当选为美国工程科学院院士，2007年当选中国科学院外籍院士。

胡正明教授是微电子新器件、器件模型和可靠性等研究的重要开拓者之一，对半导体器件的发展和应用做出了重要贡献，荣获多项国际大奖。主要科技成就为：发明了在国际上极受注目的FinFET等新结构器件，已被产业应用；领导研究了适于集成电路设计的MOSFET器件模型——BSIM，该模型于1997年被38家国际大公司参与的晶体管模型理事会选为芯片设计的第一个且唯一的国际标准；在微电子器件可靠性物理领域，提出了热电子和栅氧化层失效的物理机制，开发了相应的寿命预测方法；首创基于器件可靠性物理的集成电路可靠性计算机数值模拟工具。