第69届国际电子器件大会（IEDM 2023）于2023年12月9号至13号在美国旧金山召开。在本届IEDM上，集成电路学院共有15篇高水平学术论文（第一作者单位14篇，共同第一作者单位1篇）入选，研究成果覆盖了先进逻辑器件、新型存储器件、感存算融合器件及功率器件等多个领域。按论文第一单位统计，北京大学以14篇论文和IMEC、三星并列本届IEDM大会入选数量第一，同时也是录用论文最多的高校。北京大学已连续三年成为IEDM录用论文最多的高校，连续十七年在IEDM大会上发表论文。

在先进逻辑器件及可靠性研究方面发表论文5篇，内容包括：1）基于55nm节点商用逻辑工艺平台上研发的新型超低功耗隧穿场效应晶体管与标准CMOS的单片混合集成技术，及基于此平台研制的世界首个基于新型隧穿晶体管的极低功耗微控制器芯片（论文题目：A Sub-100nA Ultra-low Leakage MCU Embedding Always-on Domain Hybrid Tunnel FET-CMOS on 300mm Foundry Platform，第一作者：东南大学硕士生侯耀儒和北京大学博士生王凯枫，共同通讯作者：东南大学蔡浩副教授、北京大学黄芊芊研究员）；2）采用非原位加热化学气相沉积法在450 ℃低温下制备的高性能硅基后道兼容原子级单层WSe2 p型晶体管器件（论文题目：BEOL Compatible High-Performance Monolayer WSe2pFETs with Record Gm="190" μS/μm and Ion="350" μA/μm by Direct-Growth on SiO2 Substrate at Reduced Temperatures，第一作者：博士生王欣，通讯作者：吴燕庆研究员）；3）首次实现后道工艺兼容的高性能堆叠围栅纳米片氧化物半导体器件（论文题目：First Demonstration of Sequential Integration for Stacked Gate-All-Around a-IGZO Nanosheet Transistors with Record Id = 2.05 mA/μm, gm = 1.13 mS/μm and Ultralow SS = 66 mV/dec，第一作者：博士生李奇峻，通讯作者：吴燕庆研究员）；4）基于氧化物半导体ITO晶体管的偏压温度不稳定和热载流子退化效应系统研究，首次实现高可靠性非晶氧化物半导体顶栅器件（论文题目：First demonstration of top-gate indium-tin-oxide RF transistors with record high cut-off frequency of 48 GHz, Id of 2.32 mA/m and gm of 900 S/m on SiC substrate with superior reliability at 85 oC，第一作者：博士后胡倩澜，通讯作者：吴燕庆研究员）；5）先进工艺热载流子可靠性退化的界面缺陷产生机制、模型及TCAD仿真框架（论文题目：New Insights into the Interface Trap Generation during Hot Carrier Degradation: Impacts of Full-band Electronic Resonance, (100) vs (110), and nMOS vs pMOS，第一作者：北京大学博士生王子瑞，共同通讯作者：北京大学王润声教授、中科院半导体所刘岳阳研究员）。

在新型存储器及可靠性研究方面发表论文5篇，内容包括：1）基于40nm标准CMOS量产线研制的面向40/28nm及以下先进逻辑工艺节点的高密度、高可靠阻变存储器，具有同工艺节点阻变存储器集成密度记录和150度10年的数据保持特性（论文题目：A Logic-Process Compatible RRAM with 15.43 Mb/mm2 Density and 10 years @150°C retention using STI-less Dynamic-Gate and Self-Passivation Sidewall，第一作者：博士生王錡深和杨宇航，通讯作者：王宗巍副研究员、蔡一茂教授）；2）首次实现具有高抗扰动性的无选择管铪基铁电随机存储器（论文题目：First Demonstration of Hafnia-based Selector-Free FeRAM with High Disturb Immunity through Design Technology Co-Optimization，第一作者：博士生符芷源和曹胜杰，通讯作者：黄芊芊研究员、黄如院士，该论文获得2023 IEDM Best Student Paper Award提名）；3）基于掺杂镧元素的铪锆氧体系首次实现高耐久性无退火铪基铁电顶栅晶体管（论文题目：First Demonstration of Annealing-Free Top Gate La:HZO-IGZOFeFET with Record Memory Window and Endurance，第一作者：博士生曾敏，通讯作者：吴燕庆研究员）；4）先进DRAM工艺外围电路的器件可靠性研究（论文题目：Comprehensive Study of NBTI and Off-State Reliability in Sub-20 nm DRAM Technology: Trap Identification, Compact Aging Model, and Impact on Retention Degradation，第一作者：北京大学博士生孙梓轩，共同通讯作者：北京大学王润声教授、上海交通大学纪志罡教授、中科院半导体所邓惠雄研究员）；5）通过熵源和CRP生成方案协同优化实现基于铁电晶体管阵列的强稳健性物理不可克隆函数（论文题目：A Novel FeFET Array-Based PUF: Co-optimization of Entropy Source and CRP Generation for Enhanced Robustness in IoT Security，第一作者：博士生邵瀚雍和周粤佳，通讯作者：唐克超研究员、黄如院士）。

在感存算融合器件研究方面发表论文2篇，内容包括：1）基于可重构有机-无机异质结光电晶体管器件的超高灵敏感内卷积视觉传感器件（论文题目：Ultrasensitive Retinomorphic Dim-Light Vision with In-Sensor Convolutional Processing Based on Reconfigurable Perovskite-Bi2O2Se Heterotransistors，第一作者：博士生许蕾，通讯作者：贺明研究员、黄如院士）;2）面向机器视觉校正的RRAM多核混合域多项式加速存内计算芯片（论文题目：Hybrid-Domain In-Memory Polynomial Acceleration based on 40nm RRAM Multi-Core Chip for Machine Vision Calibration，第一作者：鲍霖，通讯作者：王宗巍副研究员、蔡一茂教授）。

在GaN功率器件研究方面发表论文3篇，内容包括：1）Si-like阈值电压稳定的增强型metal/insulator/p-GaN栅GaN功率器件（论文题目：Simultaneously Achieving Large Gate Swing and Enhanced Threshold Voltage Stability in Metal/Insulator/p-GaN Gate HEMT，第一作者：博士生杨俊杰，通讯作者：魏进研究员、王茂俊副教授、沈波教授）；2）通过“virtual body”屏蔽衬底高压串扰信号实现的基于体硅衬底的650V GaN桥式集成电路芯片（论文题目：650-V GaN-on-Si Power Integration Platform Using Virtual-Body p-GaN Gate HEMT to Screen Substrate-Inudced Crosstalk，第一作者：博士生杨俊杰，通讯作者：魏进研究员、王茂俊副教授、沈波教授）；3）基于新型有源钝化结构实现的6500V增强型p型栅GaN晶体管（论文题目：6500-V E-mode Active-Passivation p-GaN Gate HEMT with Ultralow Dynamic RON，第一作者：博士生崔家玮，通讯作者：魏进研究员、王茂俊副教授、沈波教授）。

参会教师与学生合影

集成电路学院黄芊芊研究员受邀作为Panelist参加研讨会

此外，在IEDM大会召开期间，北京大学集成电路学院黄芊芊研究员受邀作为Panelist（其他Panelists分别为美国伯克利大学教授Tsu Jae King Liu、前IEEE EDS主席Fernando Guarin、英国谢菲尔德大学教授Merlyne de Souza）参加IEEE EDS Women in Electron Devices/Young Professionals Networking Event (IEDM Satellite Event)，研讨会由IBM Distinguished Research Scientist Mukta Farooq主持。

以上论文的相关研究工作得到了国家重点研发计划、国家基金委重大科研仪器研制项目和杰出青年基金、高等学校学科创新引智计划等项目的资助，以及微纳电子器件与集成技术全国重点实验室、北京市集成电路高精尖创新中心、集成电路科学与未来技术北京实验室、微电子器件与电路教育部重点实验室等基地平台的支持。

背景资料

国际电子器件大会（IEDM）是集成电路器件领域的顶级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力，被誉为“器件的奥林匹克盛会”。该会议主要报道国际半导体技术方面的最新研究进展，是著名高校、研发机构和产业界领先企业如英特尔、IBM、TSMC等报告其最新研究成果和技术突破的主要平台之一。集成电路领域的许多重大技术突破都是通过该会议正式发布的。