7月7日下午13时，由北京大学集成电路学院、集成电路高精尖创新中心、北京大学国家集成电路产教融合创新平台、集成电路科学与未来技术北京实验室、后摩尔时代微纳电子学科创新引智基地联合主办的暑期课程《集成电路设计技术与产业应用发展》在线下成功举办。本期邀请到兆易创新科技集团股份有限公司存储器事业部高级经理赵建中为大家带来主题为“走近存储：见微知著，惟精惟一”的报告。北京大学叶乐老师主持讲座。

赵建中博士从日常生活中可见的存储形态出发，带领大家了解存储器的分类、特性、历史和发展概况。报告从非易失和易失两类存储其中分别选取一个典型（Flash和DRAM），介绍其特点、原理、基本操作和典型应用，并结合兆易创新公司在存储器领域的研发和布局，介绍存储器的应用需求和市场发展，并探讨存储器的研发特点和发展趋势。

赵建中博士首先介绍了市场上常见的存储器的分类，指标，并比较了各类存储器的性能。之后分析了目前各个种类芯片的集成电路市场份额：在细分领域DRAM市场最大，具有战略价值。全球存储器产业进入高度垄断的时代，DRAM制造技术难度高，需要海量出货才能实现盈利。DRAM产业每8~10年会进行一次大整合，全球95%的市场份额由韩国三星、SK海力士、美国的镁光占据。另外，NOR FLASH市场成长迅猛，可穿戴产品提供了重要贡献。

然后，赵建中博士介绍了各类存储器的应用场景和存储器的发展方向，分析了存储器技术发展的内生需求：主要矛盾是日益增长的终端产品性能需求与技术尚未出现巨大突破之间的矛盾；实质是计算系统内存和外存的性能差异造成电子系统性能提升的巨大瓶颈。

之后，赵建中博士详细介绍了Flash和DRAM的发展历程、原理、结构、读写操作、性能和应用。分析了这两类存储器的技术特点，设计制造难度，并分析了后续可能的存储器发展方向。

最后，赵建中博士介绍了兆易创新公司的目前的产品与应用，并展望了DRAM 3D堆叠技术。探讨了2.5D-3D封装，chiplet，wafer on wafer与 hybrid bonding等新兴技术对DRAM存储器发展的影响。

在提问环节，赵建中博士就3D DRAM协同仿真方法，存储器数据安全，边缘端数据处理，新型存储器在传统存储器应用方面的优缺点，新型存储器何时会出现大规模应用，单片3D堆叠技术等方面与大家进行了深入的讨论和交流。

【个人介绍】

赵建中博士，兆易创新存储器事业部高级经理，天津大学本硕，中国科学院大学博士。曾就职于中科院微电子研究所，任高级工程师，硕士生导师。赵建中博士的专业是高速接口IP开发与应用，主持/参与了国家科技重大专项等各类课题近10项；加入兆易创新后负责新型研发项目与存储器接口设计。

【企业介绍】

兆易创新科技集团股份有限公司（GigaDevice）成立于2005年，总部设于中国北京，并于2016年8月在上海证券交易所成功上市，目前拥有超过1500名员工，是一家致力于开发存储器术、MCU和传感器解决方案的领先无晶圆厂半导体公司，在中国北京、上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州和香港，美国、韩国、日本、英国、德国、新加坡等多个国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服务。