7月2日下午13时，由北京大学集成电路学院、集成电路高精尖创新中心、北京大学国家集成电路产教融合创新平台、集成电路科学与未来技术北京实验室、后摩尔时代微纳电子学科创新引智基地联合主办的暑期课程《集成电路设计技术与产业应用发展》在线下成功举办。本期邀请到兆易创新科技集团股份有限公司存储器事业部高级经理赵建中博士为大家带来主题为“‘见微知著，惟精惟一’看存储”的报告。北京大学博雅特聘教授叶乐主持讲座。

赵建中首先介绍了市场上常见的存储器的分类，指标，比较了各类存储器的性能。之后分析了各种存储器的市场营业额现状，指出DRAM在细分领域市场最大，具有战略价值。同时，赵建中介绍了兆易创新目前的产品定位与市场占有情况，以及兆易创新在Nor Flash等领域的迅猛发展成果。

然后，赵建中介绍了各类存储器的应用场景与发展方向，分析了存储器技术发展的内生需求，并指出：其主要矛盾是日益增长的终端产品性能需求与技术尚未出现巨大突破之间的矛盾，实质是计算系统内存和外存的性能差异造成电子系统性能提升的巨大瓶颈。

之后，赵建中详细介绍了Flash和DRAM的发展历程、原理、结构、读写操作、性能和应用。分析了这两类存储器的技术特点，设计制造难度，并分析了后续可能的发展方向。

最后，赵建中介绍了兆易创新公司的发展历程、业务布局以及核心价值观，分析了大模型时代带宽、容量瓶颈对存储器设计提出的挑战，并展望了兆易创新在Wafer-on-wafer以及Hybrid bonding，堆叠DRAM等新兴技术方面的技术规划。

在提问环节，赵建中就3DIC技术、新型存储器的应用、高带宽DRAM的内存控制器与PHY设计，边缘端DRAM近存计算的实现方案等方面与大家进行了深入的讨论和交流。

【个人介绍】

赵建中博士，兆易创新存储器事业部高级经理，天津大学本硕，中国科学院大学博士。曾就职于中科院微电子研究所，任高级工程师，硕士生导师。赵建中博士的专业是高速接口IP开发与应用，主持/参与了国家科技重大专项等各类课题近10项；加入兆易创新后负责新型研发项目与存储器接口设计。

【企业介绍】

兆易创新科技集团股份有限公司（GigaDevice）成立于2005年，总部设于中国北京，并于2016年8月在上海证券交易所成功上市，目前拥有超过1500名员工，是一家致力于开发存储器术、MCU和传感器解决方案的领先无晶圆厂半导体公司，在中国北京、上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州和香港，美国、韩国、日本、英国、德国、新加坡等多个国家和地区均设有分支机构和办事处，营销网络遍布全球，为客户提供优质便捷的本地化支持服务。