2月18日-2月22日，被业界誉为“集成电路设计奥林匹克大会”的第71届国际固态电路会议ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）在美国旧金山召开，在本届ISSCC大会上发布了2023-2024年度SSCS Predoctoral Achievement Award（国际固态电路协会博士生成就奖）获奖成果，北京大学集成电路学院黄如院士-叶乐教授团队博士生李和倚凭借“硅基片上一体化集成的高能效电容型感知芯片”、“硅基片上3D堆叠集成的高能效电容型感知芯片”等成果，荣获2023-2024年度国际固态电路协会博士生成就奖，为北大首位获奖学生。该奖项旨在奖励集成电路设计领域当年度全球最优秀在读博士生；自1983年设立以来，此前中国大陆仅5位在读博士生获奖。

获奖证书

李和倚同学颁奖现场

学生介绍：

北京大学集成电路学院2020级博士生，师从黄如院士和叶乐教授，主要研究方向为高能效数模混合集成电路设计、高能效高精度传感接口集成电路设计等。目前已在芯片设计奥林匹克ISSCC、芯片设计国际顶刊JSSC、电路与系统国际顶刊TCAS-I、TCAS-II、CICC、ASSCC、MWCL等学术会议和期刊上发表论文22篇。作为第一作者，曾获芯片设计奥林匹克ISSCC 2021年度最佳芯片展示奖（Demo Award），该奖项为ISSCC自1953年创办以来国内首次获奖，曾获2021年度ISSCC 亮点（Highlight）论文、2021年度中国半导体十大研究进展；合作获得2023年度ISSCC最佳论文奖（ISSCC Anantha P. Chandrakasan Distinguished-Technical-Paper Award），这是ISSCC自1953年创办70年以来国内（含港澳地区）首次获奖；此外，还获得过北京大学校长奖学金、北京大学五四奖学金、北京大学国家奖学金等荣誉。

奖项背景介绍

SSCS Predoctoral Achievement Award（国际固态电路协会博士生成就奖），每年2月中旬在美国旧金山召开的ISSCC会议上进行颁发，是集成电路设计领域颁发给在读博士生的全球最高学术荣誉。该奖评审委员会由国际工业界、学术界知名专家共同组成，评定过程十分严谨，主要从学术成果的技术变革性、工业应用价值、学术影响力等方面进行综合评选。