5月25日上午10时，由北京大学集成电路学院、集成电路高精尖创新中心、北京大学国家集成电路产教融合创新平台、集成电路科学与未来技术北京实验室、后摩尔时代微纳电子学科创新引智基地、北京大学校友会半导体分会联合主办的“未名·芯”论坛系列讲座第二十三期在线上线下成功举办。本期邀请到上海交通大学特聘教授刘景全为大家带来主题为“可穿戴/可植入MEMS脑机接口器件研究”的报告。讲座由集成电路学院卢奕鹏副教授主持。线上线下共计90余人参加。

首先，刘教授从可穿戴和可植入式脑机接口器件的最新研究进展展开本次讲座。他提到这项创新技术为神经科学、脑机交互和脑疾病研究带来了重要的机遇，有望实现对特定神经信号的解析和调控。脑机接口技术是通过记录或刺激脑神经活动，将中枢神经系统或外周神经系统与外部世界直接连接起来。刘教授重点介绍了可穿戴脑机接口器件、可植入硅基刚性、可植入柔性以及可植入胞内脑机接口器件。这些器件利用微纳制造技术精确制造，为脑机接口技术的发展提供了坚实的基础。

刘景全教授

接着，刘教授指出，植入式脑机接口器件是脑机交互的重要工具，需要根据脑科学、脑疾病和脑机交互等需求来牵引。植入脑机接口器件向高分辨、多模态、高生物相容和核磁兼容、无线低功耗方向发展。在可穿戴和可植入脑机接口器件之外，还探索了胞内植入器件。最重要的是，植入脑机接口技术的发展需要多学科的合作与交流，脑机接口器件与系统牵涉集成电路、神经科学、临床医学、材料科学、通信工程等，需要多学科通力合作。此外，刘教授还指出提出了一些建议，包括进一步改进器件的灵活性、稳定性和生物相容性，加强对神经信号解析和调控算法的研究，以及探索更多新的光电集成方法。

此次报告，让大家深入了解了基于MEMS技术的可穿戴/可植入脑机接口器件的最新进展。我们期待着这一领域的持续发展，为改善人类健康和推动脑科学研究做出更大的贡献。

在提问环节，刘教授基于大家提出的“从千导到万导的主要技术突破”、“并行传输信号时的相互干扰与功率密度问题”、“高密度采集带来的高功率密度带来的高温问题”、“脑机接口实现大规模商业化应用面对的最大的障碍”等问题进行了详细解答，为大家提供了一个探索脑机接口技术的前沿问题和未来发展方向的宝贵机会。

个人简介：

刘景全，上海交通大学特聘教授，微米纳米加工加工技术全国重点实验室主任（交大）。主要研究兴趣包括可穿戴/可植入柔性电子器件、MEMS脑机接口器件、极端环境智能微传感器以及微纳加工技术。近5年在ScienceAdvances、AdvancedMaterials、Biomaterials、Small、Biosensors and Bioelectronics、Sensors and Actuators (A/B)和IEEE J-MEMS 等国际著名刊物上发表论文近60篇。主持项目包括：国家自然科学基金重点项目、国家重大专项项目、国家重点研发计划项目和上海市级重大专项等。

技术文字：方叶星