王阳元院士在二十世纪 70 年代主持研究成功我国第一块 3 种类型 1024 位 MOS 动态随机存储器 , 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一。 80 年代提出了多晶硅薄膜 " 应力增强 " 氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，被国际同行认为 " 在微电子领域处理了一个对许多研究者都有重要意义的问题 " ， " 对实践有重要的指导意义 " 。研究了多种硅化物薄膜及亚微米和深亚微米 CMOS 电路的硅化物／多晶硅复合栅结构；发现磷掺杂对固相外延速率增强效应以及 CoSi2 栅对器件抗辐照特性的改进作用； 90 年代在 SOI/CMOS 器件模型和电路模拟工作方面，提出了 SOI 器件浮体效应模型和通过改变器件参量抑制浮体效应的工艺设计技术，扩充了 SPICE 模拟软件。在 SOI/CMOS 新结构电路研究方面，研究成功了多种新型器件和电路；与合作者一起提出了超高速多晶硅发射极晶体管的新的解析模型，开发了成套的先进双极集成电路工艺技术，这对独立自主发展我国集成电路产业具有重要意义。 90 年代后期开始研究微机电系统（ MEMS ），任微米 / 纳米加工技术国家重点实验室主任，主持开发了三套具有自主知识产权的 MEMS 工艺，开发了多种新型 MEMS 器件并向产业转化，获得一批发明专利。近期又致力于研究纳米级集成电路新器件结构、新工艺及其集成技术。在任全国 ICCAD 专家委员会主任和 ICCAT 专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的 ICCAD 系统，使我国继美国、日本、欧共体之后进入能自行开发大型 ICCAD 工具的先进国家行列；在研究集成电路发展规律基础上提出了我国集成电路产业和设计业的发展战略建议。为推动我国微电子产业的发展，作为发起人之一，创建了中芯国际 (SMIC-Semiconductor Manufacturing International Corporation) 集成电路制造有限公司，领导建设成功了我国第一条大型 12 英寸纳米级集成电路生产线，使我国集成电路大生产技术水平跃升三代，处于国际先进水平。近 20 多年来共培养了和正在培养近百名硕士、博士研究生和博士后研究人员。发表科研论文 230 多篇，出版著作 6 部。
现有 20 项重大科技成果。获全国科学大会奖、国家发明二、三等奖、国家教委科技进步一等奖、光华科技基金一等奖等共 19 项国家级和部委级奖励。
兼职情况：中国电子学会副理事长，《半导体学报》和《电子学报》（英文版）副主编，《微电子学科学丛书》主编。信息产业部科技委委员 ( 电子 ) ，美国 IEEE Fellow 和英国 IEE Fellow 等。
