长期从事后摩尔时代超低功耗微纳电子器件及其应用研究，连续多年在微电子器件领域顶级国际会议IEDM和VLSI上发表论文，取得了一系列具有国际影响力的学术成果，研制出的新机理超低功耗器件打破了国际上硅基隧穿器件的亚阈摆幅纪录，器件综合性能为国际报道中同类器件最高，相关成果被国际半导体技术路线指南（ITRS）及国际器件与系统路线指南（IRDS）引用，并与内地最大最先进的集成电路制造公司——中芯国际合作研制了世界上首个基于现行标准CMOS工艺平台的互补隧穿器件集成技术，多项授权专利转移至中芯国际。曾获科学探索奖、求是杰出青年学者奖、IEEE电子器件学会青年成就奖、中国电子学会优秀科技工作者、中国未来女科学家计划等数十项奖励和荣誉。作为负责人，承担了国家重点研发计划专项课题、国家自然科学基金“集成电路 3~5 纳米节点器件基础问题研究”应急管理项目、国家优青项目等。担任IEDM等国际顶级会议TPC委员及IEEE EDS VLSI Technology & Circuits、Women in Engineering技术委员会委员等，担任《中国科学：信息科学》、《Microelectronic Engineering》等期刊编委。
