English 北大主页
  • 首 页
  • 学院概况
    院长寄语
    学院简介
    组织体系
    联系我们
  • 师资队伍
    院士风采
    专职教师
    博士后
    光荣退休
  • 科学研究
    科研动态
    科研获奖
    科研项目
    科研成果
  • 党建思政
    党组织概况
    党建动态
    工会风采
  • 人才培养
    本科生招生
    研究生招生
    研究生培养
  • 平台基地
  • 学生工作
    新闻公告
    党团建设
    实习就业
    学生事务
  • 招贤纳士
    教师招聘
    博士后招聘
    其他招聘
  • 校友中心
    新闻公告
    校友动态
    校友风采
English 北大主页
  • 首 页
  • 学院概况
    院长寄语
    学院简介
    组织体系
    联系我们
  • 师资队伍
    院士风采
    专职教师
    博士后
    光荣退休
  • 科学研究
    科研动态
    科研获奖
    科研项目
    科研成果
  • 党建思政
    党组织概况
    党建动态
    工会风采
  • 人才培养
    本科生招生
    研究生招生
    研究生培养
  • 平台基地
  • 学生工作
    新闻公告
    党团建设
    实习就业
    学生事务
  • 招贤纳士
    教师招聘
    博士后招聘
    其他招聘
  • 校友中心
    新闻公告
    校友动态
    校友风采

师资队伍

  • 院士风采
  • 专职教师
  • 博士后
    ALL
    A
    B
    C
    D
    L
    T
    Z
    M
    W
    X
    N
  • 光荣退休
师资队伍
  • 院士风采
    11
    22
    33
    44
  • 专职教师
    王阳元
    汪
    陈中建
    盖伟新
    廖怀林
    王源
    于敦山
    沈林晓
    贾天宇
    鲁文高
    冯建华
    崔小欣
    叶乐
    王新安
    贾嵩
    刘军华
    张雅聪
    韩临
    马宇飞
    唐希源
    燕博南
    安霞
    韩德栋
    魏进
    孙仲
    张兴
    黄芊芊
    黎明
    任黎明
    王宗巍
    王金延
    孙雷
    唐克超
    王茂俊
    吴燕庆
    王漪
    康晋锋
    刘力锋
    蔡一茂
    许晓燕
    杨玉超
    张盛东
    周劲
    傅云义
    郑雨晴
    王玮
    于晓梅
    李志宏
    高成臣
    杨振川
    崔健
    赵前程
    张大成
    张威
    张海霞
    张锦文
    陈兢
    王路达
    郝一龙
    金玉丰
    孙广宇
    林亦波
    杜刚
    何燕冬
    黄鹏
    解冰
    梁云
    刘飞
    刘晓彦
    王润声
    李萌
  • 博士后
    ALL
    A
    B
    C
    D
    L
    T
    Z
    M
    W
    X
    N
  • 光荣退休
首页 - 师资队伍 - 专职教师 - 王阳元
专职教师
  • 姓名: 王阳元
  • 职称: 院士
  • 所属系、中心: 曾研究院院长,微电子学系主任
  • 办公电话: 010-1111111111
  • 电子邮箱: *************
  • 研究领域: 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一
  • 课题组网站: 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一

研究方向

(以下文字为占位用)从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪 70 年代主持研究成功我国第一块 3 种类型 1024 位 MOS 动态随机存储器 , 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一。 80 年代提出了多晶硅薄膜 " 应力增强 " 氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,被国际同行认为 " 在微电子领域处理了一个对许多研究者都有重要意义的问题 " , " 对实践有重要的指导意义 " 。研究了多种硅化物薄膜及

学术背景

(以下文字为占位用)从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪 70 年代主持研究成功我国第一块 3 种类型 1024 位 MOS 动态随机存储器 , 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一。 80 年代提出了多晶硅薄膜 " 应力增强 " 氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,被国际同行认为 " 在微电子领域处理了一个对许多研究者都有重要意义的问题 " , " 对实践有重要的指导意义 " 。研究了多种硅化物薄膜及

科研成果

(以下文字为占位用)从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪 70 年代主持研究成功我国第一块 3 种类型 1024 位 MOS 动态随机存储器 , 是我国硅栅 N 沟道 MOS 技术开拓者之一。 80 年代提出了多晶硅薄膜 " 应力增强 " 氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,被国际同行认为 " 在微电子领域处理了一个对许多研究者都有重要意义的问题 " , " 对实践有重要的指导意义 " 。研究了多种硅化物薄膜及

地址:北京海淀颐和园路A号 邮编:000000

电话:010-00000000 邮箱:00000000@gse.pku.edu.cn


版权所有©北京大学

友情链接

  • 十四五”国家老龄事业发展
  • 十四五”国家老龄事业发展
集成电路学院公众号 北大校友会公众号