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首页 - 师资队伍 - 专职教师 - L - 刘飞
专职教师
  • 姓名: 刘飞
  • 职称: 助理教授,博导
  • 所属系、中心: 设计自动化与计算系统系
  • 办公电话: 010-62750412
  • 电子邮箱: feiliu@pku.edu.cn
  • 研究领域: 新型逻辑和存储器件,微纳电子器件模型模拟,纳电子器件与电路协同设计

教育背景

2001年09月-2005年07月,吉林大学 物理学、计算机学士

2005年09月-2009年01月,中国科学院理论物理研究所 理论物理硕士

2009年09月-2013年09月,北京大学 微电子与固体电子学博士,

2012年09月-2013年02月,加拿大麦吉尔大学 联合培养博士生

工作经历

2013年10月-2016年10月,香港大学 博士后

2014年12月-2015年05月,加拿大麦吉尔大学 访问科学家

2016年11月-2018年10月,香港大学 研究助理教授

2018年11月,北京大学 研究员,博士生导师

研究成果

近期主要工作:

1. Gyuho Myeong, Wongil Shin, Kyunghwan Sung, Seungho Kim, Hongsik Lim, Boram Kim, Taehyeok Jin, Jihoon Park, Michael S. Fuhrer, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Fei Liu*, Sungjae Cho*, “Dirac-source diode with sub-unity ideality factor,” Nature Communications, accepted (2022).

2. Fei Liu*, “Switching at less than 60 mV/decade with a“cold” metal as the injection source,” Physical Review Applied, 13, 064037 (2020).

3. Fei Liu*, Chenguang Qiu, Zhiyong Zhang, Lian-Mao Peng, Jian Wang, Zhenhua Wu, and Hong Guo*, “First principles simulation of energy efficient switching by source density of states engineering,” IEEE 2018 International Electron Devices Meeting (IEDM), 763, (2018).

4. Fei Liu*, Chenguang Qiu, Zhiyong Zhang, Lian-Mao Peng, Jian Wang, and Hong Guo, “Dirac electrons at the source: breaking the 60 mV/decade switching limit,” IEEE Transactions on Electron Devices, 65, 2736 (2018).

5. Chenguang Qiu, Fei Liu, Lin Xu, Bing Deng, Mengmeng Xiao, Jia Si, Li Lin, Zhiyong Zhang*, Jian Wang, Hong Guo, Hailin Peng, and Lian-Mao Peng*, “Dirac source field-effect transistors as energy-efficient and high-performance electronic switches,” Science, 361, 387 (2018).

6.Qingjun Tong, Fei Liu, Jiang Xiao, and Wang Yao*,“Skyrmions in the Moire of van der Waals 2D Magnets,”Nano Letters,18, 7194-7199 (2018).

7. Fei Liu*, Yan Zhou*, Yijiao Wang, Xiaoyan Liu, Jian Wang, and Hong Guo, “Negative capacitance transistors with monolayer black phosphorus,” NPJ Quantum Materials, 1, 16004 (2016).

8. Fei Liu*, Qing Shi, Jian Wang, and Hong Guo, “Device performance of multilayer black phosphorus tunneling transistors,” Applied Physics Letters, 107, 203501 (2015, Featured by Pick of the Week).

备注(招生信息等)

课题组长期招收博士后、博士生、本科生,欢迎感兴趣的同学联系:feiliu@pku.edu.cn  

地址:北京市海淀区颐和园路5号 微纳电子大厦

邮编:100871

电话:010-62751787


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