研究方向:长期从事先进数字电路设计 — 工艺协同优化(DTCO)、逻辑器件与电路、三维集成与新型存储器等研究,在先进逻辑技术与新型存储领域经验广泛:
原创提出倒装堆叠晶体管(FFET)与 F3D 三维集成新技术,是后摩尔时代微缩的新技术路径;
研究覆盖先进逻辑器件与电路设计、DTCO、三维集成、存储器(如 MRAM、DRAM)等方向。
学术成果:
发表国际期刊论文与专著章节 100 余篇,其中以第一作者 / 通讯作者身份在集成电路领域顶级会议 IEDM、VLSI 上发表论文 15 篇;
已受理或授权美国/国际/中国专利近 600 项;
以第一作者获 4 项重要国际会议最佳论文奖(含 VLSI 2024),获 IEEE Paul Rappaport 奖,获评 "IBM 发明大师";
现任IEEE Semiconductor Manufacturing Committee 委员。
学生培养:
实验室连续多篇论文被 IEDM、VLSI 接收,多名学生获校级优秀本科毕业论文、优秀本研、IEEE EDS 本科生奖学金等荣誉;
依托北大集成电路学院顶尖科研和产业合作条件,学生可完整经历 "制造—设计—系统" 全链条科研训练,并与头部企业及北大亦庄产教融合基地深度合作,兼具学术前沿与产业视野;